Kultusministerium - Pressemitteilung Nr.: 248/07

Kultusministerium -

Pressemitteilung Nr.: 248/07

Magdeburg, den 22. November 2007

Neuer Sonderforschungsbereich an

der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Zum 1. Januar

2008 wird die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) einen neuen

Sonderforschungsbereich (SFB) an der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

einrichten. Diese Förderentscheidung traf gestern der Bewilligungsausschuss der

DFG.

Zum Thema

¿Funktionalität Oxidischer Grenzflächen¿ werden Wissenschaftler der Fakultät

Chemie und Physik der Martin-Luther-Universität, des Max-Planck-Instituts für

Mikrostrukturphysik, Halle, der Universität Leipzig und der Otto-von-Guericke-Universität

Magdeburg gemeinsam forschen.

Kultusminister Prof.

Dr. Jan-Hendrik Olbertz sprach von einem deutlichen Beweis für die wachsende

Attraktivität des Forschungsstandortes Sachsen-Anhalt. ¿Unsere gemeinsamen

Anstrengungen zur Bündelung von Kompetenzen und damit der Schaffung von starken

Forschungsclustern, die das Land auch mit der eigenen Exzellenzoffensive zur

Förderung der Spitzenforschung in Sachsen-Anhalt fördert, haben Erfolg¿,

stellte Olbertz fest.

Der Sonderforschungsbereich

wird im Förderzeitraum 2008-2011 zusätzliche Mittel in Höhe von 7,3 Mio. EURO

erhalten. Mit diesen Mitteln für Personal und Geräte sowie die Einrichtung von

Nachwuchswissenschaftlergruppen verbessern sich die Forschungsmöglichkeiten der

beteiligten Wissenschaftler.

¿Die Ergebnisse

der Forschungsarbeiten werden bei den am Standort Weinbergweg vorhandenen guten

Beziehungen zu den ansässigen klein- und mittelständischen Unternehmen rasch

zur Entwicklung von neuen, innovativen Produkten führen¿, betonte der

Kultusminister.

Olbertz wünschte

der Sprecherin des SFB, Prof. Dr. Ingrid Mertig, und den beteiligten

Wissenschaftlern für die Lösung der im Antrag formulierten Forschungsaufgaben viel

Erfolg und zahlreiche gute Ideen.

Der Sonderforschungsbereich

will die magnetischen und elektrischen Wechselwirkungen an Grenzflächen

verschiedener Oxide im Nanobereich erforschen. Diese neuen Erkenntnisse können

zu völlig neuartigen Sensoren, Aktuatoren und Datenspeichern führen.

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